Revolucija u elektronici: Prvi 2D GAAFET tranzistor bez silicijuma u svetu!

0
74
2D GAAFET tranzistor

Kina pravi veliki korak ka budućnosti post-silicijumskih čipova! Istraživački tim sa Univerziteta u Pekingu predstavio je prvi 2D GAAFET tranzistor koji ne koristi silicijum, već inovativni bizmut oksiselenid (Bi₂O₂Se).  

Ova tehnologija obećava tranzistore koji su brži, efikasniji i troše manje energije od postojećih rešenja. 

Kineski naučnici predstavljaju 2D GAAFET tranzistor – prekretnicu u industriji 

Tim predvođen profesorima Peng Hailinom i Qiu Chenguangom objavio je rezultate u prestižnom časopisu Nature. Ističe se da je njihov 2D GAAFET tranzistor najbrži i energetski najefikasniji tranzistor do sada.  

Njihov rad predstavlja značajan iskorak u tranzistorima ispod 1 nm, čime se otvara novo poglavlje u razvoju mikroprocesora. 

“Ako su inovacije na silicijumu samo ‘prečica’, onda su naši 2D materijali prava promena trake”, izjavio je profesor Peng za veb-sajt Univerziteta u Pekingu, a prenosi South China Morning Post. 

Zašto je GAAFET tehnologija važna za budućnost čipova? 

Da bismo razumeli ovu inovaciju, moramo razjasniti šta je GAAFET.  

Gate-all-around field-effect transistor (GAAFET) je evolucija postojećih tranzistorskih tehnologija kao što su MOSFET i FinFET. 

  •  MOSFET: Izvor i odvod su kontrolisani sa jedne strane. 
  •  FinFET: Gate kontroliše tri strane izvora i odvoda. 
  •  GAAFET: Potpuno okružuje izvor i odvod, omogućavajući bolju kontrolu i nižu potrošnju energije. 

GAAFET, FinFET, MOSFET

GAAFET tranzistori su već u upotrebi za proizvodnju čipova na 3 nm i manjoj litografiji. Međutim, ključna inovacija kineskog tima je u korišćenju 2D materijala, čime se postiže veća efikasnost u odnosu na silicijumske alternative. 

Bizmut oksiselenid – materijal koji može zameniti silicijum 

Materijal Bi₂O₂Se je u fokusu istraživanja već nekoliko godina, ali su naučnici sa Univerziteta u Pekingu prvi uspeli da ga primene u 2D GAAFET tranzistorima.  

Prednosti ovog materijala uključuju: 

  •   Veću fleksibilnost i stabilnost na sub-1nm nivou. 
  •   Manju potrošnju energije u poređenju sa silicijumskim tranzistorima. 
  •   Otpornost na probleme s pokretljivošću nosača na najmanjim dimenzijama. 

Zbog ovih osobina, Bi₂O₂Se se smatra ključnim za sledeću generaciju poluprovodnika. 

Da li Kina ovom inovacijom nadmašuje Intel, TSMC i Samsung? 

Prema tvrdnjama kineskog tima, 2D GAAFET tranzistor nadmašuje proizvode vodećih svetskih proizvođača poluprovodnika, uključujući Intel, TSMC i Samsung

U testovima sprovedenim pod istim uslovima, tranzistor razvijen u Pekingu pokazao je superiorne performanse. 

Ako se tvrdnje o kineskoj inovaciji pokažu kao tačne, to bi moglo značajno promeniti tržišni poredak!

Geopolitički značaj: Trka za napredne čipove u jeku trgovinskog rata 

Ova inovacija dolazi u ključnom trenutku za kinesku industriju poluprovodnika. 

Zbog trgovinskog rata između SAD i Kine, Peking je odsečen od ključnih tehnologija kao što su EUV litografske mašine neophodne za proizvodnju najsavremenijih čipova. 

Kineska strategija nije samo da sustigne konkurenciju, već da je preskoči kroz inovacije poput 2D GAAFET tranzistora.  

SAD već razmatraju dodatna ograničenja na GAAFET tehnologiju, što bi moglo dodatno podstaći kineska istraživanja u ovoj oblasti. 

Šta ova inovacija znači za budućnost procesora? 

Ako 2D GAAFET tranzistor zaista ispuni očekivanja, to bi moglo označiti kraj silicijumske ere i početak nove generacije poluprovodnika. 

  • Ovaj tranzistor pruža veću fleksibilnost i stabilnost na sub-1nm nivou
  • Pored toga, troši manje energije u poređenju sa silicijumskim tranzistorima.
  • Još jedna ključna prednost je otpornost na probleme s pokretljivošću nosača na najmanjim dimenzijama.

Konačne potvrde efikasnosti ovog tranzistora tek se očekuju, ali jedno je sigurno – ova inovacija će oblikovati budućnost industrije čipova! 

2D GAAFET

Hoće li 2D GAAFET tranzistori zameniti silicijum? 

Razvoj 2D GAAFET tranzistora na Univerzitetu u Pekingu predstavlja prekretnicu u svetu poluprovodnika. Njegove superiorne performanse i energetska efikasnost potencijalno mogu preoblikovati industriju. 

Ako se ova tehnologija pokaže skalabilnom i primenjivom u masovnoj proizvodnji, to bi moglo postaviti Kinu na vrh globalne trke za napredne čipove! Ova inovacija ne samo da donosi naučni napredak, već ima i velike geopolitičke posledice. 

S obzirom na rastuće tenzije između Kine i SAD, pitanje nije samo da li će ova tehnologija uspeti, već kako će globalne sile reagovati na njen potencijalni uspeh.  

Budućnost poluprovodnika nikada nije bila neizvesnija, ali jedno je sigurno – svet pažljivo prati svaki naredni korak u ovoj trci! 

 

LEAVE A REPLY

Please enter your comment!
Please enter your name here